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TWINMOS -RAM PC PORTABLE DDR3 DE 8 Go

60.000 CFA

Status:En stock

Par rapport à la conception prélecture 4 bits des modules DDR2, la nouvelle génération de modules DDR3 utilise une conception prélecture 8 bits, ce qui représente un doublement par rapport à la prélecture DDR2. Les modules DDR3 et DDR2 utilisent une architecture à 240 broches, mais comparée à la tension de travail DDR2 de 1,8 V, la tension de travail de la DDR3 a été réduite à 1,5 V, ce qui permet d’augmenter la durée de vie de la batterie des ordinateurs portables. TWINMOS DDR3 1600MHZ PC312800 8 Go L / T L

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Categories: ACCESSOIRES INFORMATIQUE, INFORMATIQUE

Description
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Architecture à double débit de données
VDD = VDDQ = 1,5V ± 0,075V
E / S push / pull à terminaison centrale de 1,5 V
Strobe de données bidirectionnel différentiel
Architecture de prélecture à 8n bits
Entrées d’horloge différentielle (CK, CK #)
8 banques internes
Terminaison nominale et dynamique (ODT) pour les signaux de données, d’échantillonnage et de masque
Latence CAS READ programmable (CL)
Latence additive CAS publiée (AL)
Temps de latence programmable CAS WRITE (CWL) basé sur tCK
Longueur de rafale fixe (BL) de 8 et coupure de rafale (BC) de 4 (via le jeu de registres de mode [MRS])
Latence CAS programmable
Bande passante (max): 12.8GB / s
Norme JEDEC
Prise en charge de la détection de présence en série
Cycle MRS avec programmes de clé d’adresse