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TWINMOS -RAM PC PORTABLE DDR3 DE 8 Go
60.000 CFA
Par rapport à la conception prélecture 4 bits des modules DDR2, la nouvelle génération de modules DDR3 utilise une conception prélecture 8 bits, ce qui représente un doublement par rapport à la prélecture DDR2. Les modules DDR3 et DDR2 utilisent une architecture à 240 broches, mais comparée à la tension de travail DDR2 de 1,8 V, la tension de travail de la DDR3 a été réduite à 1,5 V, ce qui permet d’augmenter la durée de vie de la batterie des ordinateurs portables. TWINMOS DDR3 1600MHZ PC312800 8 Go L / T L
- Architecture à double débit de données
- VDD = VDDQ = 1,5V ± 0,075V
- E / S push / pull à terminaison centrale de 1,5 V
- Strobe de données bidirectionnel différentiel
- Architecture de prélecture à 8n bits
- Entrées d’horloge différentielle (CK, CK #)
- 8 banques internes
- Terminaison nominale et dynamique (ODT) pour les signaux de données, d’échantillonnage et de masque
- Latence CAS READ programmable (CL)
- Latence additive CAS publiée (AL)
- Temps de latence programmable CAS WRITE (CWL) basé sur tCK
- Longueur de rafale fixe (BL) de 8 et coupure de rafale (BC) de 4 (via le jeu de registres de mode [MRS])
- Latence CAS programmable
- Bande passante (max): 12.8GB / s
- Norme JEDEC
- Prise en charge de la détection de présence en série
- Cycle MRS avec programmes de clé d’adresse
* Latence CAS: 11 (horloge)
* Type de rafale: séquentiel et entrelacé
- 2 variations de rafraîchissement
*Actualisation automatique
* Auto-rafraîchissement
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