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TWINMOS -RAM PC PORTABLE DDR3 DE 8 Go

60.000 CFA

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Par rapport à la conception prélecture 4 bits des modules DDR2, la nouvelle génération de modules DDR3 utilise une conception prélecture 8 bits, ce qui représente un doublement par rapport à la prélecture DDR2. Les modules DDR3 et DDR2 utilisent une architecture à 240 broches, mais comparée à la tension de travail DDR2 de 1,8 V, la tension de travail de la DDR3 a été réduite à 1,5 V, ce qui permet d’augmenter la durée de vie de la batterie des ordinateurs portables. TWINMOS DDR3 1600MHZ PC312800 8 Go L / T L

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  • Architecture à double débit de données
  • VDD = VDDQ = 1,5V ± 0,075V
  • E / S push / pull à terminaison centrale de 1,5 V
  • Strobe de données bidirectionnel différentiel
  • Architecture de prélecture à 8n bits
  • Entrées d’horloge différentielle (CK, CK #)
  • 8 banques internes
  • Terminaison nominale et dynamique (ODT) pour les signaux de données, d’échantillonnage et de masque
  • Latence CAS READ programmable (CL)
  • Latence additive CAS publiée (AL)
  • Temps de latence programmable CAS WRITE (CWL) basé sur tCK
  • Longueur de rafale fixe (BL) de 8 et coupure de rafale (BC) de 4 (via le jeu de registres de mode [MRS])
  • Latence CAS programmable
  • Bande passante (max): 12.8GB / s
  • Norme JEDEC
  • Prise en charge de la détection de présence en série
  • Cycle MRS avec programmes de clé d’adresse

          * Latence CAS: 11 (horloge)

          * Type de rafale: séquentiel et entrelacé

  • 2 variations de rafraîchissement

          *Actualisation automatique

          * Auto-rafraîchissement

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